光刻机ASML CYMER光电模块组件维修114122
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详细地址 | 鲁能七号院 |
光刻机ASML CYMER光电模块组件维修114122
1:436nm g-line
可以满足0.8-0.35 微米制程芯片的生产,对应设备有接触式和接近式光刻机。
2:365nm i-line
同样可以满足0.8~0.35微米制程芯片的生产。设备于上相同。
早期的光刻机采用接触式光刻,即掩模贴在硅片上进行光刻,容易产生污染,且掩模寿命较短。此后的接近式光刻机对接触式光刻机进行了改良, 通过气垫在掩模和硅片间产生细小空隙,掩模与硅片不再直接接触,但受气垫影响,成像的精度不高。
3:248nm KrF
工艺节点提升至350~180nm水平,在光刻工艺上也采用了扫描投影式光刻,即现在光刻机通用的,光源通过掩模, 经光学镜头调整和补偿后, 以扫描的方式在硅片上实现曝光。
4:193nm ArF
制程提升至65nm的水平。四代光刻机是目前使用广的光刻机,也是具有代表性的一代光刻机。
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